مبدل های افزاینده درهم تنیده مدارهای قدرتی هستند که ولتاژ خروجی تنظیم شده با ولتاژ بالا و توان بالا برای سیستم های تجدیدپذیر انرژی که عموما دارای ولتاژ تنظیم نشده و با ولتاژ پایین هستند فراهم می کند. استفاده از روش های کلیدزنی نرم باعث کاهش نویزهای الکترومغناطیسی و کاهش تلفات در این مبدل ها می شود. در این مقاله یک مبدل افزاینده درهم تنیده شده با قابلیت کلیدزنی نرم ارایه شده که از یک مدار کمکی ساده برای کلیدزنی نرم استفاده می کند. هدف از ساختار پیشنهادی کاهش استرس ولتاژ سوییچ های مبدل، حفظ سادگی مبدل، نیاز نداشتن به مدار راه انداز گیت شناور و کاهش المان های آن است. مدار کمکی از یک کلید برای هر دو شاخه استفاده می کند که باعث کاهش تعداد المان های نیمه هادی مبدل شده است. پایین بودن استرس ولتاژ سوییچ مدار کمکی و عدم تحمیل ولتاژ و جریان اضافی به سوییچ های اصلی مدار از مزایای مهم این طرح پیشنهادی است. در ساختار مدار کمکی سلف جداگانه وجود ندارد و سلف های آن با سلف های اصلی مبدل تزویج شده است. همچنین تنها دو عدد دیود و یک کلید در ساختار مدار کمکی وجود دارد. در مدار کمکی از سلف نشتی به عنوان سلف رزونانسی استفاده شده است. در مبدل پیشنهادی سوییچ های اصلی تحت شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر خاموش و روشن می گردند و سوییچ کمکی تحت شرایط کلیدزنی در جریان صفر خاموش و روشن می شود و تمامی دیودهای مبدل در جریان صفر خاموش می شوند که باعث برطرف شدن تلفات دیود موازی معکوس می شود.

این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدل های dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم می پردازد. یکی از مزیت های ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المان های مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آن ها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانس های بالا است. در این مقاله اصول عمل کرد مبدل به طور کامل تشریح و تجزیه و تحلیل دقیق مدهای کاری مبدل و نیز جزئیات طراحی و نحوه انتخاب المان ها ارائه شده است. نتایج شبیه سازی حاصل از نرم افزار PSCAD/EMTDC و نیز نتایج آزمایشگاهی موید صحت تحلیل های انجام گرفته است.

در این مقاله یک مبدل dc-dc دو طرفه سه پورته غیر ایزوله با قابلیت کلیدزنی نرم و ریپل جریان ورودی صفر پیشنهاد می شود. از مزایای مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل های چند پورته مرسوم می توان به قابلیت کلیدزنی ZVS برای کلیدهای اصلی، قابلیت کلیدزنی ZCS برای کلیدهای کمکی، جریان گردشی کم و در نتیجه تلفات هدایت کم به دلیل عمل کرد اسنابر اکتیو بدون تلفات و ریپل جریان ورودی صفر به دلیل استفاده از مدار کمکی شامل سلف تزویج در سمت منابع ولتاژ پایین اشاره کرد. روش پیشنهادی برای حذف ریپل جریان ورودی مبدل در مقایسه با سایر روش های موجود از قبیل چند فازه کردن، به تعداد المان های کم تری نیاز دارد که نتیجه آن کاهش اندازه مبدل است. با توجه به ویژگی دو طرفه بودن انتقال انرژی بین منابع ولتاژ موجود در سمت فشار ضعیف و منبع ولتاژ سمت فشار قوی، می توان مبدل را در سه حالت عمل کرد مختلف بهره برداری کرد. مبدل پیشنهادی با شرط این که اندازه منابع ولتاژ ورودی در سمت فشار ضعیف برابر یا کم تر از اندازه منبع ولتاژ سمت فشار قوی باشند قابل توسعه به AWT IMAGE طبقه است. برای تایید صحت عمل کرد ساختار پیشنهادی از نتایج شبیه سازی در محیط نرم افزار PSCAD استفاده می شود.

در این مقاله یک مبدل DC-DC دوطرفه با چگالی توان بالا برای کاربرد ذخیره سازی انرژی ارائه شده است. مبدل ارائه شده امکان مبادله توان در هر دو جهت را فقط با استفاده از تنظیم زاویه شیفت فاز فراهم می کند. قابلیت کلیدزنی ولتاژ صفر برای لحظات روشن و خاموش شدن تمامی کلیدها از مهم ترین مزایای مبدل پیشنهادی است که امکان استفاده از آن را برای کاربردهای توان بالا میسر می سازد. کلیدزنی ولتاژ صفر مبدل بدون نیاز به تجهیزات کمکی فراهم می گردد. در ساختار مبدل از ترانسفورماتورهای فرکانس بالا استفاده شده است که تطبیق ولتاژ دو سمت مبدل را فراهم می کند. علاوه بر این، اندوکتانس نشتی ترانسفورماتور همراه با اندوکتانس کمکی خارجی به عنوان ذخیره کننده انرژی در انتقال توان از یک سمت به سمت دیگر مبدل عمل می کند. اصول عملکرد مبدل در حالت دائمی بررسی می شود و سپس مدل دینامیکی آن ارائه می گردد. شرایط تامین کلیدزنی ولتاژ صفر مبدل مطالعه می شود و در نهایت نتایج اندازه گیری عملی نمونه آزمایشگاهی مبدل ارائه می گردد.

در این مقاله یک مبدل اینترلیود DC-DC با بهره ولتاژ زیاد ارائه شده است که مبتنی بر سلف تزویج، ترانسفورماتور جاسازی شده (BIT) و کلیدزنی خازنی می باشد. با قرار گیری سیم پیچ های ثانویه سلف تزویج بین سیم پیچ های اولیه آن و سیم پیچی اولیه BIT، بهره ولتاژ خروجی متناسب با حاصل ضرب نسبت دور سیم پیچ های سلف تزویج و BIT خواهد شد. همچنین تنش ولتاژ رو کلیدهای قدرت به مقدار قابل ملاحظه ایی کاهش یافته است که در نتیجه آن می توان از نیمه هادی هایی با مقاومت هدایتی کمتر استفاده نمود که سبب کاهش تلفات هدایتی و قیمت مبدل می شود. با استفاده از کلمپ اکتیو نه تنها کلیدزنی در ولتاژ صفر (ZVS) در لحظه های روشن و خاموش شدن برای کلیدهای قدرت مهیا می شود بلکه انرژی سلف های نشتی نیز به صورت موثری بازیابی خواهد شد. همچنین به دلیل کنترل شدن شیب جریان کاهشی دیودها توسط سلف های نشتی، این نیمه هادی ها در جریان صفر (ZCS) خاموش می شوند که در نتیجه آن مشکلات بازیابی معکوس حل شده و عملکرد مبدل بهبود می یابد. در پایان، جهت بررسی عملکرد مبدل یک نمونه آزمایشگاهی 600 وات، 22 به 380 ولتی با فرکانس کلیدزنی 100کیلوهرتز ساخته می شود.

در این مقاله یک مبدل بسیار افزاینده درهم تنیده با مدار کمکی ساده ارایه شده است. مدار کمکی پیشنهادی دارای سلف های تزویج شده با سلف های اصلی مبدل است و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای کلیدهای اصلی مبدل فراهم می کند. از طرفی کلید کمکی و دیودهای مدار کمکی دارای کلیدزنی در جریان صفر هستند و به همین دلیل تلفات محسوسی به مبدل تحمیل نمی کنند. از دیگر ویژگی مدار کمکی امکان افزایش شاخه های موازی مبدل افزاینده بدون اضافه کردن مدار کمکی جدید است، لذا مبدل می تواند به راحتی برای توان های بسیار بالا نیز طراحی گردد. مبدل پیشنهادی از روش سلف های تزویج شده ضربدری با خازن های بالابرنده سری برای افزایش بهره ولتاژ و کاهش استرس ولتاژ روی کلیدهای اصلی، استفاده کرده است. مبدل بسیار افزاینده پیشنهادی به طور مشروح تحلیل گشته و یک نمونه عملی از آن در توان 100 وات پیاده سازی گردیده است. نتایج عملی درستی عملکرد مدار و تحلیل های تئوری را تایید می کنند.

در این مقاله یک مبدل DC-DC برای کاربردهای ولتاژ قوی و توان زیاد پیشنهاد شده است. مبدل جدید از نوع کلید زنی در جریان صفر است. این مبدل از پارامترهای غیر ایده آل ترانسفورمر (نظیر سلف نشتی و خازن پراکندگی) به عنوان المانهای رزونانس استفاده می کند. از کنترل PWM شیفت فاز با فرکانس ثابت برای حصول کلیدزنی نرم استفاده شده است. در این مبدل تمام سوییچ ها در شرایط ZCS خاموش می شود، همچنین از یک مدار چند برابر کننده ولتاژ در طرف ثانویه ترانسفورمر استفاده شده تا علاوه بر کاهش نسبت دور ترانسفورمر، ولتاژ روی دیودهای یکسو ساز نیز کاهش یابد. در این مقاله تحلیل حالت دایمی مبدل ارایه و مهمترین خصوصیات آن بررسی شده است. نتایج شبیه سازی های ارایه شده عملکرد صحیح مبدل را نشان می دهد.